启明芯“星图室”内，关于铠侠与西部数据可能合并NAND Flash业务的紧急会议，在林轩最终拍板、坂本健一献上“破局三策”之后，暂时告一段落。
虽然这个突如其来的行业变局，为刚刚启航的“神农存储”计划增添了巨大的外部压力和不确定性，但也进一步激发了林轩和整个核心团队破釜沉舟、自主掌控核心存储技术的决心。
会议一结束，坂本健一这位年逾六旬、在半导体存储领域浸淫了近四十年的东瀛“教父”，便以一种与他年龄不符的雷厉风行姿态，正式接过了“神农存储”技术研发的帅印。
他深知，留给他们的时间不多了。一旦铠侠与西数真的完成合并，新的NAND巨无霸必然会利用其规模和专利优势，对后来者进行更残酷的绞杀。
启明芯必须赶在他们完成内部整合、释放出全部“能量”之前，在NAND Flash的下一代技术上，抢占到关键的“先手棋”！
同时，DRAM内存的研发，作为启明芯未来在高性能计算、人工智能以及服务器等领域布局的战略基石，也刻不容缓。
一场围绕着NAND Flash和DRAM这两大存储技术高地的、堪称“科技长征”般的艰苦卓绝的研发攻坚战，在启明芯位于深川的中央研究院、以及刚刚完成收购升级的“启明芯欧洲图像技术创新中心”内，以前所未有的强度，全面打响！
坂本健一将其数十年积累的经验和智慧，毫无保留地倾注到了“神农存储”的团队组建和技术路线规划之中。
他首先从启明芯内部，挑选了一批在半导体物理、微电子工艺、电路设计以及材料科学等领域拥有扎实基础的年轻工程师，与他从东瀛带来的几位核心弟子，以及欧洲ImagiTech团队中擅长模拟电路和精密制造的专家们，共同组建起了“神农存储”最初的、也是最核心的研发“种子部队”。
在NAND Flash的技术路线上，他坚决执行了林轩和他共同商定的“聚焦下一代，抢占技术代差”的“跳级”战略。
团队直接放弃了在当时主流的64层或96层3D NAND技术上与巨头们进行“红海”竞争的念头，而是将全部研发力量，都投入到了更具前瞻性和颠覆性的——
128层以上超高堆叠3D NAND Flash技术，以及被林轩反复强调的、代表着未来存储密度极致追求的PLC和QLC的前瞻性研究之中！
这条路的难度，堪称“地狱级”！
超高堆叠3D NAND，意味着要在指甲盖大小的硅片上，像雕刻微缩版的“通天塔”一样，精准地蚀刻出深达数微米甚至数十微米、直径却只有几十纳米的垂直通道，
并在这些比头发丝还要细数万倍的通道内，均匀地沉积上数十层甚至上百层厚度仅有几个原子级别的电荷俘获层、隧穿氧化层和阻挡层……其工艺控制的精度和难度，每增加一层，都呈指数级上升！
而PLC/QLC技术，则要求在每一个小小的存储单元内，通过极其精密的电压控制，实现对4个比特（QLC）甚至5个比特（PLC）数据的可靠读写！
这对存储材料的稳定性和耐久性、主控芯片的纠错算法和信号处理能力，都提出了近乎变态的要求！任何微小的电荷泄漏或电压漂移，都可能导致数据的灾难性丢失！
在最初的几个月里，坂本健一带领的NAND研发团队，几乎是天天“碰壁”。
实验室里，用于超高深宽比刻蚀的等离子体设备，因为参数控制不当，烧毁了无数片昂贵的测试晶圆。
用于多层薄膜均匀沉积的原子层沉积（ALD）设备，也因为材料源的纯度和腔体环境的细微波动，迟迟无法达到预期的成膜质量。
PLC/QLC的测试芯片，更是因为电荷保持特性太差，数据写入后不到几小时就“灰飞烟灭”，被工程师们戏称为“阅后即焚存储器”。
一时间，团队内部也出现了一些悲观和动摇的情绪。
“坂本先生，我们是不是太冒进了？直接挑战128层以上的堆叠，还要搞什么PLC/QLC，这简直是不可能完成的任务啊！三星和铠侠他们，在96层上都还在苦苦挣扎呢！”一位年轻的工程师，在一次实验再次失败后，忍不住向坂本抱怨道。
坂本健一只是平静地看着他，苍老的脸上没有丝毫的波澜。
他指着实验室墙上，林轩亲笔书写的那幅巨大的“开天计划”战略图，缓缓说道：“孩子，你看到那座最高的山峰了吗？如果我们选择从山脚一步一个脚印地往上爬，或许也能到达山顶，但等我们爬到的时候，山顶上最好的风景，可能早就被别人占光了。”
“林先生选择的，是一条更艰难、但也可能更快的路——
我们要在悬崖峭壁上，开凿出一条属于自己的、通往巅峰的捷径！这条路，注定充满了失败和牺牲。
这章没有结束，请点击下一页继续阅读！