庐州，“神农1号”超级晶圆厂，中央控制室。
自林轩将“伏羲”AI平台全面接入产线，辅助进行工艺参数优化与良率预测之后，这座一度因国际巨头联合绞杀而几乎陷入绝境的华夏存储希望之城，终于重新燃起了希望的火焰。
在坂本健一这位存储教父的毕生经验与“伏羲”AI那近乎无穷的算力智慧的完美结合下，
针对128层以上3D NAND Flash深孔刻蚀均匀性、存储单元阈值电压控制、以及早期DRAM沟槽电容制造等核心工艺瓶颈的优化方案，如同雨后春笋般不断涌现。
实验产线的良品率，虽然依旧无法与三星、海力士那些经营数十年的成熟工厂相比，但已经从最初那令人绝望的百分之十几、二十几，顽强地爬升到了百分之四十、甚至在某些特定批次的NAND测试晶圆上，奇迹般地突破了百分之五十的关口！
这个进步，虽然在外界看来依然不够看，但对于身处其中的坂本健一和孙振南来说，却不啻于一次次微小但却无比珍贵的胜利！
每一次良率的提升，都意味着距离大规模量产又近了一步，也意味着那压在头顶的、天文数字般的资金消耗压力，稍微减轻了一丝。
然而，新的问题，也随之而来。
“坂本先生，孙总，”一位负责NAND颗粒筛选与测试的年轻工程师，将一份最新的测试报告递了上来，脸上带着一丝难以掩饰的忧虑，
“最新一批128层3D NAND晶圆，虽然整体良率提升到了接近55%，但其中能够达到我们最初定义的‘A级品’标准——”
“即所有性能参数都完美达标、几乎零坏块的颗粒，占比依然非常低，不足10%。”
“大部分通过电学测试的颗粒，”他指着报告上的数据，“都或多或少存在一些瑕疵。比如，坏块数量略高于预期，部分区块的擦写寿命可能略低于设计目标，或者在极端温度下的数据保持特性稍有波动。”
“按照传统标准，这些都只能算是‘B级品’甚至‘C级品’，很难用于高端消费类或企业级产品。”
DRAM那边的情况也类似。
虽然初步实现了DDR3内存颗粒的小批量试产，但其在工作频率的稳定性、时序参数的离散度、以及早期失效风险等方面，相比国际大厂的成熟产品，依然存在着肉眼可见的差距。
这意味着，即使“神农1号”的良率数字看起来在缓慢爬升，但能够真正满足启明芯自家“创世”手机、“天枢”SoC等高端产品严苛要求的完美存储颗粒，依然是凤毛麟角，远远无法满足启明芯庞大的内部需求，更不用说对外销售、与国际巨头争夺市场了。
绞杀同盟的设备与材料封锁，如同无形的枷锁，依然死死地限制着“神农存储”在制造工艺上的快速突破。
想要在短期内就生产出与三星、海力士同等品质的完美存储颗粒，几乎是不可能的任务。
难道，“神农存储”的逆袭之路，就要因为这最后一百米的工艺差距，而功亏一篑吗？
就在坂本健一和孙振南为此再次陷入深深的忧虑之际，林轩的声音，却如同穿越时空的惊雷，再次为他们指明了一条意想不到的捷径！
“坂本先生，孙总，”在一次连接香江、庐州、深川三地的最高级别视频战略会议上，
林轩看着屏幕上那份并不完美的良率报告，脸上却没有丝毫的沮丧，反而露出了一丝一切尽在掌握的自信笑容，“谁说，我们一定要生产出完美无瑕的存储颗粒，才能打赢这场战争？”
“我们真正的杀手锏，从来就不仅仅是存储颗粒本身！”
他的目光，投向了会议室的另一端——那里，负责“神农之芯”AI智能存储控制器研发的团队负责人，以及几位来自“天枢”SoC和“伏羲”AI平台的核心架构师，早已严阵以待！
“现在，”林轩的声音变得铿锵有力，“是时候让我们的‘神农之芯’V2.0版本，这位真正的‘开天之芯’，登场亮相，再次展现它那点石成金的无上神威了！”
是的，就在坂本健一和庐州团队为了提升存储颗粒本身良率而苦苦鏖战的同时，
林轩早已指令另一支由启明芯最顶尖芯片设计和AI算法专家组成的“秘密武器”研发团队，将全部精力都投入到了“神农之芯”AI智能主控的迭代升级之上！
他们的目标，就是打造出一款拥有“超级智慧”的存储控制器，它不仅能够完美驱动启明芯自主研发的存储颗粒，
更重要的是，能够通过其强大的AI算法和精密的管理机制，最大限度地“修复”、“增强”、甚至“榨取”那些工艺上“非完美”的存储颗粒的潜能，
使其在最终的系统级应用中，展现出媲美甚至超越“完美”颗粒的卓越性能和可靠性！
这，才是林轩为“神农存储”计划设计的、真正的非对称竞争与降维打击的核心所在！
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